전북대학교 혁신의료기기 비임상센터

싸이엔텍

기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 열증착기

없음

1) 저온공정 2) 불순물의 분포와 농도 조절 가능 3) 두께 조절가능(수~수십nm) 4) 열역학적 평형반응에 가까움 5) 반응가스의 선택가능 6) 절연체 위에 증착가능 7) 대량 생산 가능 8)Step coverage가 좋음 9) 기판의 In-situ ethching이 가능함.

화학기상증착법(이하 CVD)은 원하는 물질을 포함하고 있는 기체 상태의 원료가스가 반응기 안으로 주입되면 열이나 플라즈마 등으로부터 에너지를 받게 되어 분해되는데, 이때 원하는 물질이 기판위에 도달하여 막을 형성하는 기술임. CVD는 반응기의 압력, 화학반응의 에너지원, 반응기벽의 온도, 반응온도, 반응기의 형상, 반응원료에 따라 다양하게 분류되어짐. 보통의 CVD 공정에서는, 상온의 반응기체(일반적으로 이송기체에 의해 농도 낮아짐)가 반응 챔버 내로 유입됨. 이 기체 혼합물은 증착표면에 이르기까지 가열되고, 대류 또는 증착표면의 가열에 의해 계속 열을 공급을 받으며, 여러 가지 공정에 따라서 반응 기체는 증팍표면에 이르기 전에 동종반응을 일으키기도함. 증착표면 근처에서는 기체흐름이 가열되고, 점성에 의해 속도가 떨어지며, 조성의 변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 경계층이 형성됨. 도입기체 또는 반응중간체는 증착표면에서 이종반응을 일으키고 이에 의해 박막이 형성됨.