전력반도체센터

○ Wafer size : 150mm (6inch)
○ ESC Wafer Chuck
­ - wafer 350 ㎛(t)
○ Full automatic System
○ EPD(End Point Detector)
○ Metal Etcher
­ - 1 Chamber (Process & Vacuum Loadlock) 시스템
­ - Wafer Transfer: Robot Auto Transfer System
­ - 금속 식각 및 Doped-Poly 용 Chamber
­ - ESC Clamp type
­ - Gas: BCl3, Cl2, N2, O2, CF4, Ar, H2O 중 선택
­ - RF Generator: 13.56Mhz, TCP 600W 이하, Bias 4300W 이하
­ - Etch Rate: 7000Ả/min 이상 @ Al
­ - Uniformity: 5% (Wafer to Wafer) 이하
○ Oxide Etcher
­ - Wafer Transfer: Robot Auto Transfer System
­ - 산화막 식각용 1 Chamber
­ - ESC Clamp type
­ - Gas: Ar, CF4, He, N2, O2, CHF3 중 선택
­ - Etch Rate: 3000Ả/min 이상 @ TEOS SiO2
­ - Uniformity: 5% (Wafer to Wafer) 이하