ESPEC
PHH-102M
10년
주장비
시험
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2021.12.23.
₩28,215,000
KOLAS
◯ 온도 범위 : 20 ~ 300℃ ◯ 온도 정확도 : ± 2.0℃ 이하 ◯ Chamber 내부 온도 균일도 : ± 3.0℃ 이하 ◯ 온도 상승률 : 4.0℃/min 이상 - 상온 → 300℃ (60분 이내) ◯ 외부 접속 가능한 네트워크 기능 포함 ◯ 원격 제어 및 모니터링 가능
◯ SiC와 같은 WBG(Wide Band Gap) 파워디바이스의 경우 디바이스가 직접적으로 고온 환경에 노출되면 이때 패키지 부분에 발생된 Crack은 파워 반도체 소자의 성능을 감소시키고 파워 모듈 패키지의 수명을 단축시킴 ◯ 고온 방치 시험기 설비는 소자가 고온 상태에서 장기간 보관 되었을 경우 어떤 영향을 받는지 평가하는 시험 과정으로 신뢰성 평가 장비 ◯ 고온 방치 시험기는 소자에 전기적인 충격이 없는 상황에서 150℃ 에서 1,000시간을 진행하여 소자의 장시간에 대한 신뢰성을 평가하는 시험으로, SiC 소자와 같은 고온 동작 소자의 시험은 300℃ 등과 같은 다양한 온도와 시간 조건을 변경하여 목적에 맞게 시험할 수 있음 ◯ 고온 환경에서 Chip 상태의 열적 변화와 패키지, 리드 프레임의 온도 변화 상태에서 발생 될 수 있는 물리적 특성과 전기적 특성을 시험
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
₩100,000
◯ SiC와 같은 WBG(Wide Band Gap) 파워디바이스의 경우 디바이스가 직접적으로 고온 환경에 노출되면 이때 패키지 부분에 발생된 Crack은 파워 반도체 소자의 성능을 감소시키고 파워 모듈 패키지의 수명을 단축시킴
◯ 고온 방치 시험기 설비는 소자가 고온 상태에서 장기간 보관 되었을 경우 어떤 영향을 받는지 평가하는 시험 과정으로 신뢰성 평가 장비
◯ 고온 방치 시험기는 소자에 전기적인 충격이 없는 상황에서 150℃ 에서 1,000시간을 진행하여 소자의 장시간에 대한 신뢰성을 평가하는 시험으로, SiC 소자와 같은 고온 동작 소자의 시험은 300℃ 등과 같은 다양한 온도와 시간 조건을 변경하여 목적에 맞게 시험할 수 있음
◯ 고온 환경에서 Chip 상태의 열적 변화와 패키지, 리드 프레임의 온도 변화 상태에서 발생 될 수 있는 물리적 특성과 전기적 특성을 시험
◯ 온도 범위 : 20 ~ 300℃
◯ 온도 정확도 : ± 2.0℃ 이하
◯ Chamber 내부 온도 균일도 : ± 3.0℃ 이하
◯ 온도 상승률 : 4.0℃/min 이상 - 상온 → 300℃ (60분 이내)
◯ 외부 접속 가능한 네트워크 기능 포함
◯ 원격 제어 및 모니터링 가능