전력반도체센터

부산테크노파크

보유장비현황

  1. 홈
  2. 보유장비현황

장비정보

  • 제작사

    Applied Materials

  • 모델 명

    P5000

    내용연수

    9년

  • 구분

    주장비

    용도

    시험

  • 표준 분류

    기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

  • 취득일

    2023.04.21.

    취득금액

    ₩678,975,000

  • 인증정보

  • 기능

    건식식각기는 주 반응성 챔버별로 Poly-Si, SiO2, SiN 3가지 Film을 식각하는 장비 임. 3개의 챔버에 식각 막질별로 서로 다른 반응성 가스를 이용하여 플라즈마 상태에서 웨이퍼에 설계된 미세 선폭의 Poly-Si, SiO2, SiN 막질을 식각하는 장비로 탄화규소 (SiC) 기판 전용 공정에 사용 된다.

  • 장비 상세설명

    1. 용도 : 건식식각기는 주 반응성 챔버별로 Poly-Si, SiO2, SiN 3가지 사양을 모두 만족할 수 있는 장비. 2. 기판정보(Wafer Status) 1) 실리콘 기판 (Si Wafer) - 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm - 기판두께(Wafer Thickness) : 675±20㎛ - 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type) 2) 실리콘 카바이드 기판 (SiC Wafer) - 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm - 기판두께(Wafer Thickness) : 350±25㎛ - 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type) 3. 플라즈마 발생기 1) MERIE 플라즈마 Source 2) 파워 범위(Power Range) : 100watt ~ 900watt 3) RF Power 발생기(RF Generator) : 13.56MHz, MAX 1,250watt출력 4. 진공챔버(Vacuum Chamber) 1) 주 식각챔버 압력: ≤1mT - 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤2mT/min 2) 로드락 챔버 압력 : ≤10mT - 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤10mT/min 5. 온도 조절 1) 전극 온도 : 0℃~50℃ (별도의 칠러로 제어) 2) 챔버 측벽 온도: 30℃~80℃ 전기 히터와 Heat & Exchanger 3) 온도 컨트롤 범위: ±0.5℃

장비 사용법

  • 사용형태

    기관의뢰

    설치형태

    고정형

  • 사용료 형태

    건별

    장비 사용료

    [EA] ₩300,000

목록