보유장비현황
- 보유장비현황
- 플라즈마박막증착기
- PECVD
- i-Tube No. 2304-C-0079
- NTIS No
- 설치기관 (재)부산테크노파크
- 주소 부산 강서구 지사동 1276번지
- 담당자 박점철 (T.)
- 매뉴얼
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예약가능여부(장비 예약은 Zeus 시스템에서 회원가입후 예약가능)
장비정보
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제작사
Applied Materials
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모델 명
P5000
내용연수9년
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구분
주장비
용도시험
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표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
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취득일
2023.04.20.
취득금액₩580,800,000
- 인증정보
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기능
반도체 제조시 진공 Chamber에 O2 및 TEOS[Si(OC2H5)4] , SiH4, NH3, N2 가스를 주입하고 RF Power를 인가하여 플라즈마를 형성하여 웨이퍼에 절연막을 제조하는 장비이다 . 3개의 chamber에 가스를 주입하여 플라즈마 상태애서 웨이퍼에 절연막이나 층간절연막을 제조하는장비로 SiC 기판 공정에 사용된다.
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장비 상세설명
1. 플라즈마박막증착기는 진공 Chamber에 주입된 가스를 이온화 시켜 Plasma를 형성하여 층간 절연막을 제조한다. 2. 플라즈마박막증착기는 가스를 주입하여 플라즈마 상태에서 SiO2, BPSG, SiN을 제조하는 장비이다. 3. 기판정보 : 1) 실리콘 기판 (Si Wafer) - 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm - 기판두께(Wafer Thickness) : 675±20㎛ - 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type) 2) 실리콘 카바이드 기판 (SiC Wafer) - 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm - 기판두께(Wafer Thickness) : 350±25㎛ - 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type) 4. 플라즈마 발생기 1) RF Power (High Frequency) : 1.0 ~ 1.25KW,13.56MHz 3) RF Power (low Frequency) : 500W, 350KHz 5. 진공챔버(Vacuum Chamber) 1) 주 식각챔버 압력: < 1.0*10-2 torr - 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤10mT/min 2) 로드락 챔버 압력 : < 2.0*10-2 torr - 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤20mT/min 6. 온도 조절 1) Heater 온도 : 300~480℃
장비 사용법
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사용형태
기관의뢰
설치형태고정형
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사용료 형태
건별
장비 사용료[EA] ₩100,000
장비설명
플라즈마박막증착기는 반도체 제조시 진공 Chamber에 O2 및 가스를 주입하고 RF Power를 인가하여 플라즈마를 형성하여 웨이퍼에 절연막을 형성하는 장비이다
장비는 Cluster 장비로 세개의 chamber로 구성되어 있습니다. 이를 위해 본 장치는 wafer 를 loading 하는 Loader와 웨이퍼를 이송하는 자동 반송시스템과 3개의 진공 chamber 그리고 모든 것을 자동으로 운전 할 수 있는 PC를 갖추고 공정을 진행하고 진행 data를 저장한다
장비 구성 및 성능
1. 용도 : 진공 Chamber에 주입된 가스를 이온화 시켜 Plasma를 형성하여 층간 절연막을 증착한다.
2. 기판정보 :
1) 실리콘 기판 (Si Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 675±20㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
2) 실리콘 카바이드 기판 (SiC Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 350±25㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
3. 플라즈마 발생기
1) RF Power (High Frequency) : 1.0 ~ 1.25KW,13.56MHz
3) RF Power (low Frequency) : 500W, 350KHz
4. 진공챔버(Vacuum Chamber)
1) 주 식각챔버 압력: < 1.0*10-2 torr
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤10mT/min
2) 로드락 챔버 압력 : < 2.0*10-2 torr
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤20mT/min
5. 온도 조절
1) 전극 온도 : 300~480℃