보유장비현황
- 보유장비현황
- 플라즈마 원자층 증착장비
- Plasma ALD
- i-Tube No. 2206-C-0253
- NTIS No NFEC-2022-07-280349
- 설치기관 한국광기술원
- 주소 광주광역시 북구 첨단벤처로108번길 9 한국광기술원
- 담당자 박진영 (T.0626059245)
- 매뉴얼
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예약가능여부(장비 예약은 Zeus 시스템에서 회원가입후 예약가능)
장비정보
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제작사
(주) 넥서스비
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모델 명
nexus mini
내용연수10년
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구분
주장비
용도시험
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표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비
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취득일
2022.06.27.
취득금액₩173,536,340
- 인증정보
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기능
나노 단위의 박막공정이 가능한 장비로 Al2O3, SiO2, ZnO, TiO2, HfO2 등의 Oxide 질화물을 사용한 나노소자제작이 가능한 장비이며, 각각의 Precursor 별로 유량제어 및 온도제어가 가능하여 조성비의 조절이 가능한 장비
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장비 상세설명
1) Substrate Size : 200mm×200mm Glass, 8inch(200mm) Wafer 2) Substrate Access : Using Loadlock 3) Chamber Type : Lateral Feeding Type 4) Dimension :1050mm x 750mm x 1260mm 5) Weight : 120kg 6) Power : ≥ 1Ø / 220 V / 60A or ≥ 3Ø / 220V / 50A 7) Plasma Power Source : RF 13.56MHz, CCP Type, 600W 8) RF Power Accuracy : <1% of Set Value 9) Stage Heater : Al Block Heater 10) Pressure Control : Throttle Valve & Auto Control 11) Deposition Method : Time Divided ALD 12) Source : 3Source (3Bubbler Type) & 250cc 13) Reactant : Plasma, D.I, O3 14) Purge Gas : Ar or N2 (<500sccm) 15) Exhaust Disociation : Using Hot Trap (<500℃) 16) Operation & Control: Laptop PC Base & Full Automation GUI
장비 사용법
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사용형태
기관의뢰 직접사용
설치형태고정형
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사용료 형태
시간별
장비 사용료[EA] ₩90,000
장비설명
1. 나노 단위의 박막공정이 가능한 장비로 Al2O3, SiO2, ZnO, TiO2, HfO2 등의 Oxide 및 SiN4 등의 질화물을 사용한 나노소자제작이 가능한 장비이며, Precursor 별로 유량제어 및 온도제어가 가능하여 조성비의 조절이 가능
장비 구성 및 성능
1) 공정 제어 및 모니터링시스템 (OS포함)
1.1) 공정제어용 컴퓨터 사양
- 노트북 (외장 그래픽, 12GB RAM 이상)
- 운영체제 : Windows 10 Pro 이상
- Keyboard and Trackball (일반 MOUSE 가능)
- USB방식 : USB 2.0 이상
- 통신방식 : 이더넷, RS232
1.2) 시스템 제어 소프트웨어 주요기능
- 온도 조건 설정 가능 - Recipe 수정 가능
- 실시간 모니터링 가능
- Log data 백업 가능
2) TM, 로드암
2.1) 샘플을 로딩 & 언로딩이 가능하고, 웨이퍼와 고정장치 하중에 견디
는 구조로 설계
2.2) 웨이퍼 이탈을 방지할 수 있는 지그형태로 제작 2.3) Gate valve를 통한 PM Chamber - TM 간 이동 가능
3) 공정챔버부 & TM, 하부 Gas line & Frame
3.1) 챔버부
- 200*200 mm Substrate pocket 내 Loaidng 가능 - 원활한 Plasma 제어를 위한 Anodizing 처리 - Chamber 내 Heater / Updown 가능
- 챔버내부 압력조절 (0 ~ 10 mTorr)
- ATM S/W 진공도 확인
3.2) 하부 Gas line & Frame - Sample loading / unloading을 위한 Z 축
- Gas line 및 Diaphragm valve를 통한 제어 가능 - MFC, Controller를 통한 유량 제어
4) 히팅부
5.1) 상. 하부 히팅방식
- 히터 온도 범위 : 0 ℃ ~ 350 ℃
( Heating 능력 : 30 ℃/min )
- 온도 균일도 : ± 2 % 이하 (온도 350 ℃ 경우)
- Temperature Controller 온도편차 기준 ± 2 ℃ 이하 측정
5) RF Generator
5.1) RF Generator
- Max 600W 범위 내에서 RF 방전 및 제어 가능
5.2) Matcher
- RF 방전 시, RF Matching 역할을 함
6) 기타
6.1) 압력부
- 10 Torr 이하 범위에서 Baratron gauge를 통해 Monitoring - Throttle valve를 통한 Pressure / Position control 가능
6.2) 진공부
- 챔버내부 청정도 유지를 위한 구조 (챔버와 외부 차단방식)